[发明专利]光探测器及其制备方法有效
申请号: | 201810135379.5 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN108447691B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 张晗;谢中建;邢晨阳 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20;B82Y30/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种光探测器,包括工作电极、对电极以及设于所述工作电极和所述对电极之间的电解液,所述工作电极包括导电基底和设置在所述导电基底上的半导体层,所述半导体层的材料包括二维碲纳米片。本发明提供的光探测器性能良好。本发明还提供了一种光探测器的制备方法,包括以下步骤:提供碲原料,采用液相剥离的方法对所述碲原料进行剥离,得到二维碲纳米片;将所述二维碲纳米片分散在溶剂中形成二维碲纳米片分散液,将所述二维碲纳米片分散液均匀涂布在导电基底上,干燥后得到工作电极;提供对电极,在所述工作电极和所述对电极之间注入电解液,经封装后得到光探测器。本发明提供的制备方法简单易操作。 | ||
搜索关键词: | 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光探测器,其特征在于,包括工作电极、对电极以及设于所述工作电极和所述对电极之间的电解液,所述工作电极包括导电基底和设置在所述导电基底上的半导体层,所述半导体层的材料包括二维碲纳米片。
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