[发明专利]一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法有效
| 申请号： | 201810135795.5 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108335984B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 杨剑群;李兴冀;李何依;刘勇 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法，涉及一种电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法。本发明为了解决目前还没有一种针对粒子辐射环境用电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法的问题。本发明首先利用软件计算辐照粒子在芯片材料中单个辐照粒子产生的空位数量，确定辐照粒子种类和能量，然后选择不同辐照注量进行辐照试验，辐照注量点不少于3个并对辐照后器件进行深能级瞬态谱测试；对比按照不同辐照注量的DLTS结果曲线，分别比较深能级缺陷和浅能级缺陷对应的信号峰，如果随着辐照注量的增大，深能级缺陷浓度升高且浅能级缺陷浓度降低，则器件材料发生了费米能级的钉扎效应。本发明适用于电子器件发生费米能级钉扎效应的确定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 判断 电子器件 费米 能级 发生 效应 方法 | ||
【主权项】：
1.一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：一、确定器件芯片的厚度；二、利用SRIM或Geant4软件，计算辐照粒子在芯片材料中单个辐照粒子产生的空位数量，确定辐照粒子种类和能量：要求辐照粒子种类为原子序数不小于6的粒子；辐照粒子能量以单个辐照粒子产生的空位数量大于1000个以上的能量来确定；三、根据步骤二确定的辐照粒子种类和能量，选择不同辐照注量进行辐照试验，辐照注量点不少于3个；四、对辐照后器件进行深能级瞬态谱测试，即DLTS测试；五、对比按照不同辐照注量的DLTS结果曲线，分别比较深能级缺陷和浅能级缺陷对应的信号峰，如果随着辐照注量的增大，深能级缺陷浓度升高，且浅能级缺陷浓度降低，则器件材料发生了费米能级的钉扎效应；否则器件材料未发生费米能级的钉扎效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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