[发明专利]一种金属-半导体的金属化工艺及方法

摘要

本发明属于半导体器件制造技术领域、具体涉及金属‑半导体电极的一种金属化的工艺及处理方法。本发明提供了一种简单的工艺及相应处理方法，依次包括：提供一种半导体基材，该半导体包含至少一PN结，其PN结结构可以是叠加形式的结构，且其表面已经附着一种或者混合的氧化物薄层、介电膜层；在通过溅射、沉积、电镀、印刷或植入方式直接对该基材单面或者双面实施电极材料；对连接一体的需分离的正负电极采用腐蚀予以分离，产生外联正负电极；对覆盖有金属电极的半导体材料进行热处理；最后通过对外联电极实施欧姆接触方法完成金属化过程。

主权项

1.一种针对于金属‑半导体的金属化工艺包括，第一步，提供一种半导体基材，该半导体包含至少一PN结，其PN结结构可以是叠加形式的串联结构，且其表面已经附着一种或者混合的氧化物薄层、介电膜层；第二步，在通过蒸发、溅射、沉积、电镀、印刷、植入或填埋方式、直接在该基材表面实施电极材料；第三步，对需分离的P区、N区的电极采用选择性腐蚀予以分离，形成可以外联的半导体器件的电极；第四步，对覆盖有金属电极的半导体材料进行热处理；第五步，通过对外联的正负电极实施欧姆接触处理方法完成金属化过程。