[发明专利]栅极绝缘层成膜前的多晶硅层处理方法及处理系统有效
| 申请号： | 201810136398.X | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108346561B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 刘刚;铃木浩司;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种栅极绝缘层成膜前的多晶硅层处理方法及栅极绝缘层处理系统，其中多晶硅层处理方法包括如下步骤：在真空反应腔室内，对氧气进行等离子化形成第一氧离子，采用所述第一氧离子对基板表面的多晶硅层进行第一次轰击清洗；在真空反应腔室内，对碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行等离子化形成等离子体，采用所述等离子体对经过第一次轰击清洗后的基板表面的多晶硅层进行第二次轰击清洗；在真空反应腔室内，对氧气进行等离子化形成第二氧离子，采用所述第二氧离子对经过第二次轰击清洗后的基板表面的多晶硅层进行第三次轰击清洗。上述多晶硅层处理方法能够较好地去除多晶硅层表面以氧化硅为主的氧化物，能够减少P‑Si表面出现mura。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 绝缘 层成膜前 多晶 处理 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种栅极绝缘层成膜前的多晶硅层处理方法，应用于在对基板的多晶硅层上形成栅极绝缘层之前，其特征在于，所述多晶硅层处理方法包括如下步骤：在真空反应腔室内，对氧气进行等离子化形成第一氧离子，采用所述第一氧离子对基板表面的多晶硅层进行第一次轰击清洗；在真空反应腔室内，对碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行等离子化形成等离子体，采用所述等离子体对经过第一次轰击清洗后的基板表面的多晶硅层进行第二次轰击清洗；在真空反应腔室内，对氧气进行等离子化形成第二氧离子，采用所述第二氧离子对经过第二次轰击清洗后的基板表面的多晶硅层进行第三次轰击清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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