[发明专利]一种高能离子注入后光刻胶的去除方法在审
| 申请号： | 201810136922.3 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108305831A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 舒晶;潘冬 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高能离子注入后光刻胶的去除方法，其中，提供一晶圆，晶圆表面覆盖有一第一氧化层，还包括以下步骤：于第一氧化层表面形成一第二氧化层；于第二氧化层表面形成一光刻胶层，图案化光刻胶层，于一预定位置形成工艺窗口；以光刻胶层为掩膜对预定位置进行离子注入；去除光刻胶层；有益效果：对于高能量高剂量离子注入后的光刻胶进行有效去除，避免残留对后续制程的污染并且有效避免晶圆的损伤。避免高剂量高能量的离子注入后光刻胶去除过程中的残留，提高产品的良率，避免残留对后续制程机台的污染，并有效避免清洗光刻胶过程中对晶圆的损伤而影响器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 光刻胶层 光刻胶 晶圆 离子 氧化层表面 高能离子 预定位置 残留 高剂量 高能量 氧化层 损伤 图案化光刻胶层 光刻胶过程 光刻胶去除 工艺窗口 晶圆表面 影响器件 制程机台 良率 掩膜 制程 污染 清洗 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高能离子注入后光刻胶的去除方法，其特征在于，提供一晶圆，所述晶圆表面覆盖有一第一氧化层，还包括以下步骤：步骤S1，于所述第一氧化层表面形成一第二氧化层；步骤S2，于所述第二氧化层表面形成一光刻胶层，图案化所述光刻胶层，于预定位置形成工艺窗口；步骤S3，以所述光刻胶层为掩膜对所述预定位置进行离子注入；步骤S4，去除所述光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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