[发明专利]包括掩埋电容结构的半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810138980.X | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108461495B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | P·巴尔斯;F·雅库博夫斯基 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括掩埋电容结构的半导体器件及其形成方法。本公开提供了半导体器件和制造技术，其中可以在SOI器件的掩埋绝缘层的层级处提供掩埋电容结构，从而与传统策略相比提供了降低的工艺复杂度，而仍然在掩埋电容结构上方保留优异的路由能力。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 掩埋 电容 结构 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：由第一浅沟槽隔离结构向包围的第一器件区域，所述第一浅沟槽隔离结构穿过半导体层和掩埋绝缘层延伸到衬底材料中；由第二浅沟槽隔离结构横向包围的第二器件区域，所述第二浅沟槽隔离结构穿过所述半导体层和所述掩埋绝缘层延伸到所述衬底材料中；形成在所述第一器件区域之中和之上的完全耗尽晶体管元件；以及形成在所述第二器件区域中的多个电容结构，以便具有包括所述衬底材料的共享电容器电极。
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