[发明专利]用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法在审
| 申请号： | 201810139334.5 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108389826A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 曹玉飞;邱智中;蔡吉明 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体领域，尤其涉及用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法，在其一实施例中包括基体膜以及位于基体膜上的粘合层，所述粘合层由复数个不连续排列的点状胶组成，所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。本发明将现有技术中呈平铺状均匀分布的粘合层改进为由不连续排列的点状胶组成的粘合层，当扩膜时，晶粒则置于点状胶上，并通过点状胶粘附于基体膜上，该基体膜受外力拉伸时，点状胶随基体膜被拉伸而产生的形变量较小，从而在后续去除晶粒时，晶粒上粘附的胶较少，从而改善晶粒在扩膜时的胶污染问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 点状胶 基体膜 粘合层 不连续 拉伸 薄膜 半导体领域 污染问题 平铺状 通过点 形变量 粘附的 复数 去除 粘附 制作 改进 | ||
【主权项】：
1.用于晶粒扩膜的薄膜，包括基体膜以及位于基体膜上的粘合层，其特征在于：所述粘合层由复数个不连续排列的点状胶组成，所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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