[发明专利]一种采用电子束蒸发技术制备Ga有效
申请号: | 201810140108.9 | 申请日: | 2018-02-11 |
公开(公告)号: | CN108411250B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 杨陈;张进;蔡长龙;徐均琪 | 申请(专利权)人: | 西安工业大学 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/30 |
代理公司: | 61114 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 黄秦芳 |
地址: | 710032 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明属于一种光电薄膜制备技术领域,具体涉及一种采用电子束蒸发技术制备Ga | ||
搜索关键词: | 光电薄膜 镀材料 制备 电子束蒸发技术 沉积 薄膜 关键工艺参数 制备技术领域 紫外光 衬底材料 非晶结构 粉碎成粒 工艺要求 光学应用 原子沉积 真空烧结 电探测 高纯度 后退火 可控性 速率和 高纯 晶化 气化 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种采用电子束蒸发技术制备Ga
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