[发明专利]电子器件有效
| 申请号： | 201810140687.7 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108155168B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | K·霍塞尼;J·马勒;R·奥特雷姆巴;J·赫格劳尔;J·施雷德尔;X·施勒格尔;K·希斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L29/20;H01L29/78;H01L21/331;H01L21/329;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子器件。该电子器件包括在单个壳体中的多个半导体芯片。这样的半导体芯片可以包括不同的半导体材料，例如它们可以包括GaN。使用键合夹片而不是键合线是将这样的半导体芯片连接到衬底的高效方式。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：第一半导体元件，包括第一接触元件；第二半导体元件，包括第二接触元件；以及第一衬底元件和与所述第一衬底元件不同的第二衬底元件，其中所述第一半导体元件和所述第二半导体元件并排布置在所述第一衬底元件上，其中所述第一半导体元件的源极接触和所述第二半导体元件的漏极接触电连接到所述第一衬底元件，其中所述第一半导体元件的栅极接触连接到所述第二半导体元件的源极接触，并且所述第一半导体元件的漏极接触以及所述第二半导体元件的源极接触和所述第二半导体元件的栅极接触连接到所述第二衬底元件。
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