[发明专利]一种用于制备GaN基高频微波器件的方法在审
| 申请号： | 201810140968.2 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108417627A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 孙钱;周宇;高宏伟;冯美鑫;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 刘华 |
| 地址： | 330200 江西省南昌*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及材料领域技术领域，具体为一种用于制备GaN基高频微波器件的方法，步骤包括：(1)在衬底材料上，自下而上依次外延生长成核层、应力控制层、缓冲层；(2)在所述缓冲层上生长高Al组分异质结，包括第一半导体层GaN沟道层，第二半导体层高Al组分势垒层，在势垒层生长过程中，通入TMIn，用于增强Al原子的横向迁移；(3)在所述高Al组分势垒层上生长GaN帽层；(4)源、漏欧姆接触制备；(5)栅极制备；(6)钝化层沉积；以及(7)有源区隔离。本发明方法能有效提高异质结中的组分均匀性并改善应力场分布，大幅提高异质结晶体质量，最终提升高频微波器件性能与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 高频微波器件 势垒层 缓冲层 异质结 结晶体 漏欧姆接触 应力控制层 组分均匀性 半导体层 材料领域 衬底材料 横向迁移 生长过程 外延生长 成核层 钝化层 应力场 生长 帽层 异质 源区 沉积 半导体 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备GaN基高频微波器件的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)在衬底材料上，自下而上依次外延生长成核层、应力控制层、缓冲层；(2)在所述缓冲层上生长高Al组分异质结，包括第一半导体层GaN沟道层，第二半导体层高Al组分势垒层，在势垒层生长过程中，通入TMIn，用于增强Al原子的横向迁移；(3)在所述高Al组分势垒层上生长GaN帽层；(4)源、漏欧姆接触制备；(5)栅极制备；(6)钝化层沉积；以及(7)有源区隔离。
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