[发明专利]图像传感装置的形成方法在审

专利信息
申请号: 201810142045.0 申请日: 2018-02-11
公开(公告)号: CN109768056A 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 郑允玮;周俊豪;李国政;黄薰莹 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张福根;冯志云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 提供图像传感装置的形成方法,包括形成第一沟槽于半导体基板中。半导体基板具有正面与背面,且第一沟槽自正面延伸至半导体基板中。方法包括形成第一隔离结构于第一沟槽中。方法包括形成光传感区于半导体基板中。第一隔离结构围绕光传感区。方法包括形成第二沟槽于半导体基板中。第二沟槽自背面延伸至半导体基板中,并露出第一隔离结构。方法包括形成第二隔离结构于第二沟槽中。第二隔离结构包括光阻挡结构以吸收或反射入射光。
搜索关键词: 半导体基板 隔离结构 图像传感装置 光传感区 背面 光阻挡 入射光 延伸 反射 吸收
【主权项】:
1.一种图像传感装置的形成方法,包括:形成一第一沟槽于一基板中,其中该基板具有一正面与一背面,且该第一沟槽自该正面延伸至该基板中;形成一第一隔离结构于该第一沟槽中;形成一光传感区于该基板中,其中该第一隔离结构围绕该光传感区;形成一第二沟槽于该基板中,其中该第二沟槽自该背面延伸至该基板中,并露出该第一隔离结构;以及形成一第二隔离结构于该第二沟槽中,其中该第二隔离结构包括一光阻挡结构以吸收或反射入射光。
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