[发明专利]图像传感装置的形成方法在审
申请号: | 201810142045.0 | 申请日: | 2018-02-11 |
公开(公告)号: | CN109768056A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 郑允玮;周俊豪;李国政;黄薰莹 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张福根;冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供图像传感装置的形成方法,包括形成第一沟槽于半导体基板中。半导体基板具有正面与背面,且第一沟槽自正面延伸至半导体基板中。方法包括形成第一隔离结构于第一沟槽中。方法包括形成光传感区于半导体基板中。第一隔离结构围绕光传感区。方法包括形成第二沟槽于半导体基板中。第二沟槽自背面延伸至半导体基板中,并露出第一隔离结构。方法包括形成第二隔离结构于第二沟槽中。第二隔离结构包括光阻挡结构以吸收或反射入射光。 | ||
搜索关键词: | 半导体基板 隔离结构 图像传感装置 光传感区 背面 光阻挡 入射光 延伸 反射 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感装置的形成方法,包括:形成一第一沟槽于一基板中,其中该基板具有一正面与一背面,且该第一沟槽自该正面延伸至该基板中;形成一第一隔离结构于该第一沟槽中;形成一光传感区于该基板中,其中该第一隔离结构围绕该光传感区;形成一第二沟槽于该基板中,其中该第二沟槽自该背面延伸至该基板中,并露出该第一隔离结构;以及形成一第二隔离结构于该第二沟槽中,其中该第二隔离结构包括一光阻挡结构以吸收或反射入射光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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