[发明专利]电容器器件结构、电容器及电容器的制造方法在审
| 申请号： | 201810142622.6 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108336070A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 张国祯;刘昌 | 申请（专利权）人： | 无锡博硕珈睿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 赵俊宏 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明针对现有技术中电容器的电容密度低、器件的抗疲劳特性不佳，连续弯曲多次后电学性能易受到破坏且无法恢复的不足提供一种电容器器件结构、电容器及电容器的制造方法，这种结构包括顶电极结构和底电极结构，顶电极结构和底电极结构均为复合电极结构，这种电容器，包括电容器器件结构，顶电极进行光刻、湿法腐蚀，形成分立的器件阵列，采用本发明结构的电容器器件结构，极大地降低了底电极和顶电极的面电阻，从而降低器件的高频损耗，也可以减小薄膜弯曲过程中产生的裂缝的，从而有效提高器件的可弯曲特性以及抗疲劳特性，采用本发明结构的透明电容器器件结构，在构造出全透明的电容器的同时，极大地降低了电极的面电阻和抗弯曲特性。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 电容器器件 底电极结构 顶电极结构 抗疲劳特性 顶电极 面电阻 复合电极结构 抗弯曲特性 透明电容器 电学性能 高频损耗 降低器件 连续弯曲 器件结构 器件阵列 湿法腐蚀 弯曲过程 底电极 可弯曲 全透明 电极 电容 分立 光刻 减小 薄膜 裂缝 制造 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种电容器器件结构，包括顶电极结构(11)和底电极结构(12)，顶电极结构(11)和底电极结构(12)间设置有介质层(4)，其特征在于，所述顶电极结构(11)和底电极结构(12)均为复合电极结构，所述的复合电极结构包括底层、顶层和导线层，所述导线层网状分布在所述底层表面，顶层设置在底层上覆盖所述导线层，底层和顶层均为导电氧化物薄膜，导线层与顶层和底层均欧姆连接。
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