[发明专利]一种氮化物半导体器件的欧姆接触结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201810142648.0 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108447780A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘胜厚;林光耀;周泽阳;许若华;蔡文必 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/24 | 分类号： | H01L21/24;H01L21/283;H01L29/45 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物半导体器件欧姆接触的制作方法，于GaN基底上形成含有Al层的金属堆叠结构，于氧气气氛中进行低温氧化使所述Al层侧壁形成氧化铝阻挡层，然后通过高温合金使金属堆叠结构与GaN基底形成欧姆接触。本发明在欧姆金属合金前先进行低温氧化处理，使欧姆金属外侧铝氧化成氧化铝，通过侧壁氧化铝阻挡高温合金时铝元素的横向扩散，从而改善GaN基器件欧姆接触制作过程中出现的铝元素横向扩散问题，降低了界面污染和改善界面态；本发明的方法仅在传统GaN基器件的欧姆金属制作过程中增加低温氧化，工艺简单，不引入其他物质，也无需其他材料，实用性强，效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触 低温氧化 欧姆金属 氧化铝 氮化物半导体器件 堆叠结构 高温合金 横向扩散 制作过程 铝元素 侧壁 金属 其他材料 氧气气氛 界面态 铝氧化 阻挡层 制作 合金 阻挡 引入 污染 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体器件欧姆接触的制作方法，其特征在于包括以下步骤：1)于GaN基底上形成金属堆叠结构，所述金属堆叠结构包括依次沉积的扩散阻挡层、Al层及上金属层；2)于氧气气氛、350℃～650℃下氧化30～240s使所述Al层侧壁形成氧化铝阻挡层；3)于氮气气氛、800℃～900℃下合金20～60s，使所述金属堆叠结构与GaN基底形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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