[发明专利]一种GaN基异质结变容管装置及其外延结构在审
| 申请号： | 201810142683.2 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108365020A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 曾建平;安宁;李倩;谭为 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L29/417;H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 何红信 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了GaN基异质结变容管装置及其外延结构，旨在解决现有的倍频器件以金属和半导体形成的肖特基接触为基础，导致功率特性较差的问题。GaN基异质结变容管装置，包括由GaN基材料制作的衬底、高阻缓冲层、第一层重掺杂导电层、第一层低掺杂层、宽禁带的势垒层、第二层低掺杂层和第二层重掺杂导电层；第一层低掺杂层、宽禁带的势垒层和第二层低掺杂层形成异质结势垒结构。外延结构包括金属阳极、金属阴极和上述GaN基异质结变容管装置；金属阳极和金属阴极之间存在凹槽，凹槽的底部为第一层重掺杂导电层。本发明功率特性较好，不会限制倍频源的输出功率特性，可以实现大功率应用，可以用于大功率输入奇次倍频电路。 | ||
| 搜索关键词： | 低掺杂层 变容管 第一层 异质结 重掺杂导电层 外延结构 功率特性 金属阳极 金属阴极 宽禁带 势垒层 输出功率特性 半导体形成 大功率应用 高阻缓冲层 肖特基接触 异质结势垒 倍频电路 倍频器件 倍频 衬底 金属 制作 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基异质结变容管装置，其特征是：从下至上依次包括衬底(11)、高阻缓冲层(12)、第一层重掺杂导电层(13)、第一层低掺杂层(14)、宽禁带的势垒层(15)、第二层低掺杂层(16)和第二层重掺杂导电层(17)；第一层低掺杂层(14)、宽禁带的势垒层(15)和第二层低掺杂层(16)形成异质结势垒结构；所述高阻缓冲层(12)、第一层重掺杂导电层(13)、第一层低掺杂层(14)、宽禁带的势垒层(15)、第二层低掺杂层(16)和第二层重掺杂导电层(17)的材料均为GaN基材料。
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