[发明专利]单光谱求取多孔膜厚度和孔隙率的方法有效
| 申请号： | 201810143998.9 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108332674B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 祁志美;万秀美;高然;张萌颖;方东明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06;G01N15/08 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种单光谱求取多孔膜厚度和孔隙率的方法，包括：获得包括透明基底/缓冲膜/待测多孔膜的光波导共振芯片，其中，待测多孔膜作为导波层，能够承载至少两个横电导模或至少两个横磁导模；在给定测试条件下获取光波导共振芯片的单个实测共振光谱，使得该实测共振光谱包含至少两个共振峰或至少两个共振谷；通过在给定测试条件下对其中k个共振峰或k个共振谷分别进行仿真拟合，k≥2，以求取分别满足k个导模的共振条件下，表征待测多孔膜的孔隙率和厚度关系的函数；同时满足至少两个函数的孔隙率和厚度即为待测多孔膜的孔隙率和厚度。本公开只需获取一个实测共振光谱即可同时测得多孔膜的孔隙率和厚度，测量方法简单，测量精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔膜 孔隙率 共振 共振光谱 实测 测试条件 单光谱 共振峰 光波导 导模 芯片 测量精度高 共振条件 厚度关系 导波层 缓冲膜 电导 横磁 基底 拟合 测量 承载 透明 | ||
【主权项】：
1.一种单光谱求取多孔膜厚度和孔隙率的方法，包括：/n获得包括透明基底、缓冲膜和待测多孔膜依次设置的光波导共振芯片，其中，所述待测多孔膜作为导波层，能够承载至少两个横电导模或至少两个横磁导模；/n在给定测试条件下以入射角或入射光波长为变量，获取所述光波导共振芯片的单个实测共振光谱，使得该实测共振光谱包含至少两个共振峰或至少两个共振谷，选取k个共振峰或k个共振谷，其对应的入射角或入射光波长分别为k个不同级数导模的共振角或共振波长，k≥2；/n通过在所述给定测试条件下对所述k个共振峰或k个共振谷分别进行仿真拟合，以求取分别满足k个不同级数导模的共振条件下，表征所述待测多孔膜的孔隙率和厚度关系的k个函数；/n求解同时满足至少两个所述函数的孔隙率和厚度，即为所述待测多孔膜的孔隙率和厚度。/n
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