[发明专利]氧化锌半导体材料及其制备方法、半导体器件以及空调器有效
| 申请号： | 201810144086.3 | 申请日： | 2018-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN108364855B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 苏宇泉;冯宇翔;毕晓猛 | 申请（专利权）人： | 广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/227 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 528311 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氧化锌半导体材料及其制备方法、半导体器件以及空调器；所述氧化锌半导体材料的制备方法包括以下步骤：首先制备氧化锌缓冲层；其次在所述缓冲层上继续生长氧化锌薄膜，并在所述氧化锌薄膜中掺入第一元素和第二元素；所述第一元素的离子半径小于锌离子的半径，所述第二元素的离子半径大于氧离子的离子半径；最后对所述氧化锌薄膜进行升温后做退火处理。本发明技术方案通过在氧化锌薄膜中掺入两种不同类型的元素，以使第一元素和氧离子结合形成新的晶格引入了压应力，第二元素和锌离子结合形成新的晶格引入了张应力，在宏观上，氧化锌薄膜内部的拉应力和压应力会相互抵消，以形成了稳定的P型掺杂氧化锌半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 半导体材料 及其 制备 方法 半导体器件 以及 空调器 | ||
【主权项】：
1.一种氧化锌半导体材料的制备方法，其特征在于，所述氧化锌半导体材料的制备方法包括以下步骤：步骤S1：在基材上制备氧化锌薄膜，以形成氧化锌缓冲层；步骤S2：在所述缓冲层上继续生长氧化锌薄膜，并在所述氧化锌薄膜中掺入第一元素和第二元素；所述第一元素的离子半径小于锌离子的半径，所述第二元素的离子半径大于氧离子的离子半径，以对所述氧化锌薄膜进行P型掺杂；步骤S3：当所述氧化锌薄膜的厚度达到预设厚度时，对所述氧化锌薄膜进行升温后做退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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