[发明专利]紫外发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201810144122.6 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108269903A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 卓昌正;陈圣昌;邓和清 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 冯华 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种紫外发光二极管及其制作方法，紫外发光二极管包括：缓冲层；n型层，位于所述缓冲层上；应力调变层，位于所述n型层上；量子阱发光层，位于所述应力调变层上；以及p型层，位于所述量子阱发光层上；所述应力调变层由晶格常数小于所述n型层、所述量子阱发光层及所述p型层的材料构成，用以调变所述紫外发光二极管外延结构的翘曲。本发明在外延结构的n型层与量子阱发光层之间引入AlxGayIn1‑x‑yN应力调变层，将组分Al调整至70％以上，可以减少后续生长量子阱发光层时的翘曲，并同时改善该量子井发光层的表面温度均匀性，进而提升外延结构发光波长均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光层 量子阱 紫外发光二极管 调变层 外延结构 缓冲层 翘曲 表面温度均匀性 发光波长 晶格常数 均匀性 量子井 调变 制作 生长 引入 | ||
【主权项】：
1.一种紫外发光二极管，其特征在于，包括：缓冲层；n型层，位于所述缓冲层上；量子阱发光层，位于所述n型层上；以及p型层，位于所述量子阱发光层上；所述紫外发光二极管还包括应力调变层，其位置包括位于所述n型层内、位于所述n型层及所述量子阱发光层之间以及位于所述量子阱发光层内中的一种；所述应力调变层由晶格常数小于所述n型层、所述量子阱发光层及所述p型层的材料构成，用以调变所述紫外发光二极管外延结构的翘曲。
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