[发明专利]一种单片集成空间磁矢量传感器及其制作工艺在审
| 申请号： | 201810144174.3 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108975265A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锋;白云佳;温殿忠;张洪泉 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C3/00;G01R3/00;G01R33/02;G01R33/06 |
| 代理公司： | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 | 代理人： | 刘冬梅;路永斌 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成空间磁场传感器及其制作工艺，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在第一硅片(1)上设置有六个呈立体结构的硅磁敏三极管，其中两两硅磁敏三极管结合，形成三个磁敏感单元，并且，在芯片内采用MEMS技术嵌入导磁微结构，对z轴方向的磁场进行聚集并导向，从而使得所述传感器实现了空间三维磁场(Bx、By和Bz)的检测。本发明所述单片集成空间磁矢量传感器结构简单，实现了芯片的小型化和集成化；所述制作工艺简单，易于实现，适合规模化工业应用。 | ||
| 搜索关键词： | 单片集成 制作工艺 硅片 磁矢量传感器 磁敏三极管 传感器 芯片 传感器实现 工业应用 空间磁场 立体结构 三维磁场 磁敏感 规模化 集成化 器件层 微结构 衬底 导磁 磁场 嵌入 检测 | ||
【主权项】：
1.一种单片集成空间磁矢量传感器，其特征在于，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在第一硅片(1)上设置有六个呈立体结构的硅磁敏三极管和两个导磁微结构(4)，其中，所述六个硅磁敏三极管两两结合，分别构成三个磁敏感单元，并分别用于x轴、y轴和z轴方向磁场的检测；所述六个呈立体结构的硅磁敏三极管分别为硅磁敏三极管一(SMST1)、硅磁敏三极管二(SMST2)、硅磁敏三极管三(SMST3)、硅磁敏三极管四(SMST4)、硅磁敏三极管五(SMST5)和硅磁敏三极管六(SMST6)。
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