[发明专利]等离子蚀刻方法有效
| 申请号： | 201810144558.5 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108461397B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 千东谦太 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供等离子蚀刻方法，抑制带与保持面之间产生气泡，防止带焦糊。该等离子蚀刻方法在对下表面上粘贴有带(T)的晶片(W)进行了磨削加工之后，对晶片的被磨削面进行等离子蚀刻，该等离子蚀刻方法包含如下的工序：干燥工序，对带赋予热量而将带内的水分去除；静电保持工序，在干燥工序之后，对静电卡盘(4)的电极(44)提供直流电力而产生静电，对晶片进行静电保持；以及蚀刻工序，在静电保持工序之后，对减压室(C)进行减压，利用等离子化后的反应气体对晶片的被磨削面进行等离子蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子蚀刻方法，在一边对一个面上粘贴有带的晶片的另一个面提供磨削水一边利用磨削磨具进行了磨削之后，利用等离子蚀刻装置对晶片的被磨削面进行等离子蚀刻，其中，该等离子蚀刻装置包含：静电卡盘，其对配设在内部的电极提供直流电力，利用静电力隔着该带对晶片进行保持；以及减压室，其收纳对晶片进行保持的该静电卡盘，对该减压室进行减压并使所提供的反应气体等离子化，从而对晶片进行等离子蚀刻，该等离子蚀刻方法具有如下的工序：干燥工序，对该带赋予热量而将带内的水分去除；静电保持工序，在该干燥工序之后，对该静电卡盘的该电极提供直流电力而产生静电，对晶片进行静电保持；以及蚀刻工序，在该静电保持工序之后，对该减压室进行减压，利用等离子化后的反应气体对该静电卡盘所保持的晶片的被磨削面进行等离子蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
