[发明专利]一种石墨烯电容及其制造方法有效
| 申请号： | 201810144592.2 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108336071B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 崔金益 | 申请（专利权）人： | 湖州一力电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州市南*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于硅上绝缘层（SOI）衬底的石墨烯电容及其制作方法，其结构包括：绝缘层、上层氧化硅层、下层氧化硅层、上层石墨烯、下层石墨烯、上层石墨烯金属接触层、下层石墨烯金属接触层、上层金属通孔电极、下层金属通孔电极、上层金属凸块、下层金属凸块、上开口和下开口；基于硅上绝缘层（SOI）衬底通过晶圆键合将石墨烯封闭在器件内部，提高器件的质量和可靠性；该结构减少石墨烯电容器的寄生电容，提高电容的Q值，使其可以应用在高频电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 下层 上层 电容 金属接触层 金属通孔 金属凸块 上绝缘层 氧化硅层 电极 衬底 绝缘层 电容器 高频电路 寄生电容 晶圆键合 上开口 下开口 封闭 应用 制造 制作 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅上绝缘层（SOI）衬底的石墨烯电容，其结构其包括：绝缘层、上层氧化硅层、下层氧化硅层、上层石墨烯、下层石墨烯、上层石墨烯金属接触层、下层石墨烯金属接触层、上层金属通孔电极、下层金属通孔电极、上层金属凸块、下层金属凸块、上开口和下开口；其中，所述上层石墨烯层与所述下层石墨烯层均为方形图案，并且设置在所述石墨烯电容的结构的中心线上，所述方形图案均垂直于所述中心线，并且所述方形图案的边缘相互平行；所述上开口和所述下开口分别设置于所述石墨烯电容的上下表面，并分别从上下表面延伸至所述上层氧化硅层和所述下层氧化硅层，并且所述上开口和所述下开口在所上层氧化硅层和下层氧化硅层的宽度大于所述上层石墨烯和下层石墨烯图案的宽度；所述上层石墨烯金属接触层与下层石墨烯金属接触层分别设置在所述中心线的两侧，并分别与上层石墨烯和下层石墨烯形成欧姆接触，分别通过上层金属通孔电极和下层金属通孔电极电连接至上下表面的上层金属凸块和下层金属凸块。
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