[发明专利]静电卡盘工作台的使用方法在审
| 申请号： | 201810144755.7 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108511382A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 古田健次;里百合子;松崎荣 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78;B81C99/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供静电卡盘工作台的使用方法，能够抑制加工时的限制。静电卡盘工作台包含：板状的基台部，其对于照射至被加工物的激光光线的波长具有透过性，具有第1面和与该第1面相反的一侧的第2面；以及静电吸附用的电极部，其层叠于该基台部的该第1面，对于该激光光线具有透过性，其中，该静电卡盘工作台的使用方法具有如下的步骤：被加工物保持步骤(ST1)，对层叠于第1面的电极部供电而将被加工物吸附保持在第2面侧；以及改质层形成步骤(ST2)，从层叠有电极部的第1面侧照射激光光线，利用透过了基台部的激光光线在第2面所吸附的被加工物的内部形成改质层。 | ||
| 搜索关键词： | 被加工物 静电卡盘 工作台 激光光线 电极部 基台部 改质层 透过性 面侧 照射激光光线 静电吸附 吸附保持 波长 板状 吸附 照射 供电 加工 | ||
【主权项】：
1.一种静电卡盘工作台的使用方法，该静电卡盘工作台包含：板状的基台部，其对于照射至被加工物的激光光线的波长具有透过性，具有第1面和与该第1面相反的一侧的第2面；以及静电吸附用的电极部，其层叠于该基台部的该第1面，对于该激光光线具有透过性，其中，该静电卡盘工作台的使用方法具有如下的步骤：被加工物保持步骤，对层叠于该第1面的该电极部供电而将被加工物吸附保持在该第2面侧；以及改质层形成步骤，从层叠有该电极部的该第1面侧照射该激光光线，利用透过了该基台部的该激光光线在该第2面所吸附的该被加工物的内部形成改质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
