[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810144814.0 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN109524450B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 古川大 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式涉及的半导体装置具备基板、第1半导体区域、第2半导体区域、第3半导体区域、第4半导体区域以及第1电极。上述第2半导体区域设置于上述第1半导体区域上。上述第2半导体区域具有第1部分、以及在与上述基板的上述第1面平行的第1方向上连接于上述第1部分的第2部分。上述第2半导体区域的导电型为第2导电型。上述第1电极设置于上述第2半导体区域的上述第1部分、上述第3半导体区域以及上述第4半导体区域上，并与上述第2半导体区域的上述第1部分接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：基板；第1导电型的第1半导体区域，设置于上述基板的第1面上；第2导电型的第2半导体区域，设置于上述第1半导体区域上，具有第1部分、以及在与上述基板的上述第1面平行的第1方向上连接于上述第1部分的第2部分；第2导电型的第3半导体区域，设置于上述第2半导体区域的上述第2部分上；第1导电型的第4半导体区域，设置于上述第2半导体区域的上述第2部分上，并在上述第1方向上上述第3半导体区域位于上述第4半导体区域之间；以及第1电极，设置于上述第2半导体区域的上述第1部分、上述第3半导体区域、以及上述第4半导体区域上，该第1电极与上述第2半导体区域的上述第1部分接触。
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