[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，基底具有第一区，基底上具有第一鳍部和第一伪栅极结构，第一伪栅极结构包括第一伪栅极层；在基底上形成覆盖第一伪栅极结构侧壁表面的介质层；去除第一伪栅极层，在介质层中形成第一栅开口；在第一栅开口底部形成界面层；在第一栅开口的侧壁和底部形成位于界面层上的栅介质层；在栅介质层上形成牺牲层，牺牲层顶部表面低于第一鳍部顶部表面，牺牲层暴露出第一鳍部顶部和部分侧壁表面的栅介质层；对牺牲层暴露出的栅介质层下方的界面层进行退火处理，使未被牺牲层覆盖的部分界面层厚度增加；至后去除牺牲层；之后在栅介质层表面形成填充满第一栅开口的栅电极层。所述方法提高了半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有第一区，所述基底上具有第一鳍部和第一伪栅极结构，所述第一伪栅极结构横跨第一鳍部，覆盖第一鳍部部分顶部表面和部分侧壁表面，所述第一伪栅极结构包括第一伪栅极层；在所述基底、第一鳍部和第一伪栅极结构上形成介质层，所述介质层覆盖所述第一伪栅极结构侧壁表面；去除所述第一伪栅极层，在介质层中形成第一栅开口；在第一栅开口底部形成界面层；在第一栅开口的侧壁和底部形成位于界面层上的栅介质层；在栅介质层上形成牺牲层，所述牺牲层顶部表面低于第一鳍部顶部表面，所述牺牲层覆盖第一鳍部侧壁的部分栅介质层表面，暴露出所述第一鳍部顶部和部分侧壁表面的栅介质层；对牺牲层暴露出的栅介质层下方的界面层进行退火处理，使所述未被牺牲层覆盖的部分界面层厚度增加；退火处理后，去除所述牺牲层；去除所述牺牲层后，在所述栅介质层表面形成栅电极层，所述栅电极层填充满所述第一栅开口。