[发明专利]用于模拟深部脑刺激电极植入操作的模型装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201810147214.X | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108305549A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 范小敏;邓坤学;袁玉宇 | 申请（专利权）人： | 广州迈普再生医学科技有限公司 |
| 主分类号： | G09B23/28 | 分类号： | G09B23/28 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 任重 |
| 地址： | 510663 广东省广州市广州高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于模拟深部脑刺激电极植入操作的模型装置及其制备方法。所述模型装置包括颅脑模型、压力传感器、数据处理模块以及输出装置，颅脑模型包括丘脑底核，压力传感器设置在丘脑底核上，压力传感器与数据处理模块连接，数据处理模块与位于颅脑模型外部的输出装置电连接或信号连接。该模型装置能够准确模拟患者的颅脑结构，并通过在丘脑底核处设置压力传感器并设置相应的数据处理模块和输出装置，通过输出装置可以实时反馈电极插入位置的准确性，可供医生进行深部脑刺激电极植入手术的模拟操作训练，从而提高手术时电极插入位置的准确性，进而提高手术效率，降低电极植入手术风险。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 数据处理模块 压力传感器 模型装置 输出装置 颅脑 植入 深部脑刺激 丘脑底核 插入位置 制备 模拟操作 实时反馈 手术效率 信号连接 电连接 外部 医生 | ||
【主权项】：
1.一种用于模拟深部脑刺激电极植入操作的模型装置，其特征在于，所述模型装置包括颅脑模型、压力传感器、数据处理模块以及输出装置，所述的颅脑模型包括丘脑底核，所述的压力传感器设置在丘脑底核上，所述的压力传感器与数据处理模块连接，所述的数据处理模块与位于颅脑模型外部的输出装置电连接或信号连接。
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