[发明专利]一种高耐磨性Cu-Ni-Si合金电子封装材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810148288.5 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108359835A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张毅;高直;安俊超;李丽华;万欣娣;王智勇;劳晓东;孙慧丽;柴哲;宋克兴;田保红;刘勇;国秀花 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C1/03;C22C1/10;C22F1/08;H01L23/29 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 周会芝 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种高耐磨性Cu‑Ni‑Si合金电子封装材料，由以下重量百分比的组分构成：0.2～1.5%的镍，0.1～0.6%的硅，0.1~0.3%的镁，0.1～0.3%的银、0.2～1.5%的钴、0.1～0.5%的Cr2O3，0.1～0.4%的PbO，余量为铜和不可避免的杂质元素。本发明通过独特的制备工艺制备出了一种高耐磨性、且导电率和抗拉强度均优异的Cu‑Ni‑Si合金电子封装材料，以满足电子封装用铜合金的性能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 电子封装材料 高耐磨性 合金 制备 重量百分比 电子封装 性能要求 杂质元素 制备工艺 导电率 铜合金 | ||
【主权项】：
1.一种高耐磨性Cu‑Ni‑Si合金电子封装材料，其特征在于：由以下重量百分比的组分构成：0.2～1.5%的镍，0.1～0.6%的硅，0.1~0.3%的镁，0.1～0.3%的银、0.2～1.5%的钴、0.1～0.5%的Cr2O3，0.1～0.4%的PbO，余量为铜和不可避免的杂质元素。
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