[发明专利]创建气隙的方法在审
| 申请号： | 201810148464.5 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108493152A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 帕特里克·A·范克利蒙布特;萨沙撒耶·瓦拉达拉简;巴特·J·范施拉芬迪克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及创建气隙的方法。氧化锡膜用于在半导体衬底处理期间产生气隙。可以使用在含H2工艺气体中形成的等离子体来选择性地蚀刻设置在诸如SiO2和SiN之类的暴露的其他材料层之间的氧化锡膜。蚀刻在周围材料之间产生凹陷特征来代替氧化锡。诸如SiO2之类的第三材料沉积在所得到的凹陷特征上而不完全填充凹陷特征，从而形成气隙。在一些实施方式中，在SiO2、SiC、SiN、SiOC、SiNO、SiCNO或SiCN的存在下选择性地蚀刻氧化锡的方法包括使衬底与在包含至少约50％H2的工艺气体中形成的等离子体接触。氧化锡的蚀刻可以在衬底上不使用外部偏置的情况下进行，并且优选在低于约100℃的温度下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 气隙 氧化锡 凹陷 工艺气体 氧化锡膜 衬底 等离子体 等离子体接触 材料沉积 衬底处理 其他材料 周围材料 偏置 优选 创建 填充 半导体 暴露 外部 | ||
【主权项】：
1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：(a)提供具有暴露的SnO2层的半导体衬底；(b)在低于约100℃的温度下蚀刻所述SnO2层，其中所述蚀刻包括将所述半导体衬底暴露于在包含至少约50％的H2的工艺气体中形成的等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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