[发明专利]一种阶跃型超低衰减四模光纤

摘要

本发明涉及一种阶跃型超低衰减四模光纤，包括有芯层和包层，所述芯层半径R1为7～18微米，Δ1为‑0.05％～0.2％，芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，内包层半径R2为11～22微米，Δ2为‑0.4％～‑0.15％，下陷内包层半径R3为15～26微米，Δ3为‑0.8％～‑0.3％，辅助外包层半径R4为37～50微米，Δ4为‑0.6％～‑0.25％，外包层为纯二氧化硅玻璃层，所述的光纤在C波段上支持四个LP模式的传播：LP01、LP11、LP21和LP02。本发明不仅能支持四个模式的长距离信号传输，而且每个模式均具有较低的衰减系数，制造成本低，光纤的弯曲损耗、色散等综合性能在应力波段都处于一个很好的水平。

主权项

1.一种阶跃型超低衰减四模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层半径R1为7～18微米，芯层相对折射率差Δ1为‑0.05％～0.2％，芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，所述光纤的内包层半径R2为11～22微米，相对折射率差Δ2为‑0.4％～‑0.15％，所述光纤的下陷内包层半径R3为15～26微米，相对折射率差Δ3为‑0.8％～‑0.3％，所述的辅助外包层半径R4为37～50微米，相对折射率差Δ4为‑0.6％～‑0.25％，所述外包层为纯二氧化硅玻璃层；所述的光纤在C波段上支持四个LP模式的传播：LP01、LP11、LP21和LP02。