[发明专利]具有阵列式静电防护结构的LDMOS器件

摘要

本发明公开了一种具有阵列式静电防护结构的LDMOS器件，其结构包括：P+衬底层、P‑外延层、P+注入层、P阱区、漂移区、栅下氧化层、栅极电极、源极电极、源场板氧化层、漏极电极、背面金属以及源极深槽互连金属；还包括源极场板阵列，所述源极场板阵列包括多个平行且等长等宽的源场板，源场板在垂直于栅极电极的方向设置，每个源场板一端与源极电极连接，另一端跨过栅极电极连接到源场板氧化层。本发明通过源区的延伸场板结构，使其延伸至栅漏之间并呈阵列式分布，一方面将栅漏侧分割使栅下漏侧以及栅下源侧的峰值电场均匀化分布，使可吸收外来瞬时高电压，另一方面，由于阵列式的分布，最大限度地提升了电流运载能力，实现其功率器件的作用。

主权项

1.一种具有阵列式静电防护结构的LDMOS器件，其结构包括：P+衬底层、P-外延层、P+注入层、P阱区、漂移区、栅下氧化层、栅极电极、源极电极、源场板氧化层、漏极电极、背面金属以及源极深槽互连金属；所述P-外延层生长在P+衬底层上；所述P+注入层生长于P-外延层一侧，穿过P-外延层并沉入P+衬底层内；所述P阱区生长在P-外延层上，一端与P+注入层接触；所述漂移区分布于P阱区两侧，包括轻掺杂漂移区和重掺杂漂移区，靠近栅极电极侧和源场板氧化层侧为轻掺杂漂移区，靠近源极电极和漏极电极为重掺杂漂移区；所述栅极电极设置于P阱区上，与P阱区形成沟道区；所述源极电极设置于P+注入层上并以场板的形式延伸至P阱区一侧的漂移区上方；栅极电极与P阱区之间还设有栅下氧化层，所述栅极电极与P阱区之间由栅下氧化层共同形成MOS结构；所述漏极电极设置于P-外延层上并延伸至P阱区一侧的漂移区上方；所述源极电极设置于P+注入层上并延伸至P阱区另一侧的漂移区上方；其特征在于：还包括源极场板阵列，所述源极场板阵列包括多个平行且等长等宽的源场板，源场板在垂直于栅极电极的方向设置，每个源场板一端与源极电极连接，另一端跨过栅极电极连接到源场板氧化层；所述背面金属设置于P+衬底层背面，源极电极通过源极深槽互连金属与背面金属连接；所述源极场板阵列与P阱区之间由源场板氧化层共同形成MOS结构。/n