[发明专利]一种具有折叠型复合栅结构的IGBT芯片有效
| 申请号： | 201810148664.0 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108598160B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;朱春林;朱利恒 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11372 北京聿宏知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴大建;陈伟 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有折叠型复合栅结构的IGBT芯片，包括若干复合栅单元，每一所述复合栅单元包括栅极区和位于所述栅极区两侧的有源区，其中，所述栅极区包括：在所述栅极区的指定位置向下刻蚀而成的至少一个沟槽，所述沟槽内设置有沟槽栅极；位于所述栅极区的表面上的平面栅极，所述平面栅极与沟槽栅极相连。所述有源区包括分别位于所述栅极区两侧的沟槽栅有源区和平面栅有源区，沟槽栅有源区和平面栅有源区均包括自下而上分布的N阱区、P阱区、P+掺杂区和N+掺杂扩散区。采用本发明可以大幅度提升IGBT芯片密度，并保留沟槽栅低通耗、高电流密度和平面栅宽安全工作区的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极区 源区 复合栅 沟槽栅 面栅 沟槽栅极 平面栅极 折叠型 安全工作区 掺杂区 扩散区 低通 刻蚀 掺杂 保留 | ||
【主权项】：
1.一种具有折叠型复合栅结构的IGBT芯片，其特征在于，包括晶圆基片和形成于所述晶圆基片正面的若干个依次排列的复合栅单元，每一所述复合栅单元包括栅极区和位于所述栅极区两侧的两个有源区；/n所述栅极区包括：/n在所述栅极区的指定位置向下刻蚀形成的沟槽，所述沟槽内设置有沟槽栅极；/n位于所述栅极区的表面上的平面栅极，所述平面栅极与沟槽栅极相连；/n以及隔离所述沟槽栅极和平面栅极与所述晶圆基片的栅氧化层，和覆盖所述平面栅极外表面的隔离保护层；所述有源区包括位于所述栅极区两侧的沟槽栅有源区和平面栅有源区，其中，所述沟槽栅有源区和平面栅有源区均包括自下而上分布的N阱区、P阱区、P+掺杂区和N+掺杂扩散区。/n
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