[发明专利]基于相变材料阻抗匹配的高效太赫兹动态调控装置及方法有效
| 申请号： | 201810148678.2 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108345130B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 施奇武;黄婉霞;朱洪富;朱礼国;李江;杜良辉 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/00 |
| 代理公司： | 成都中玺知识产权代理有限公司 51233 | 代理人： | 谭昌驰;邢伟 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于相变材料阻抗匹配的高效太赫兹动态调控装置及方法。所述装置包括基底、相变材料层和相变激发单元，其中，所述基底具有彼此相背的第一表面和第二表面，第一表面朝向太赫兹波入射的方向设置；所述相变材料层能够从绝缘相转变为金属相，并结合在基底的第二表面上；所述相变激发单元产生激发条件以使相变材料层分别从绝缘相转变为阻抗匹配状态、以及从阻抗匹配状态转变为金属相，所述阻抗匹配状态发生在基底/相变材料层/空气界面。所述方法利用激发条件使相变材料层能够在阻抗匹配状态与绝缘相或金属相之间切换，从而能够实现对太赫兹波的反射波进行高效、快捷的调控，且具有优良的电场振幅调制深度。 | ||
| 搜索关键词： | 相变材料层 阻抗匹配状态 基底 金属相 绝缘相 第二表面 第一表面 动态调控 激发单元 激发条件 太赫兹波 相变材料 阻抗匹配 电场 方向设置 空气界面 振幅调制 反射波 入射 相背 调控 | ||
【主权项】：
1.一种基于相变材料阻抗匹配的高效太赫兹动态调控装置，其特征在于，所述太赫兹动态调控装置由基底、相变材料层和相变激发单元构成，其中，所述基底具有彼此相背的第一表面和第二表面，第一表面朝向太赫兹波入射的方向设置；所述相变材料层能够从绝缘相转变为金属相，并结合在基底的第二表面上，所述相变材料层为厚度在230～300nm范围的二氧化钒薄膜、三氧化二钒薄膜或五氧化三钛薄膜；所述相变激发单元产生激发条件以使相变材料层分别从绝缘相转变为阻抗匹配状态、以及从阻抗匹配状态转变为金属相，从而实现对从基底的第一表面入射的太赫兹波的反射波进行振幅调控或调制，所述阻抗匹配状态发生在基底/相变材料层/空气界面。
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