[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810149176.1 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN109524411B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 濑户基司;川口谷瞳 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/41 | 分类号： | H10B41/41;H10B41/20;H10B43/40;H10B43/20;H01L23/538;H01L21/764 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置(1)包括：半导体衬底(10)，具有相互对向的第1及第2主面，且在第1主面积层着第1配线层(18)及第2配线层(19)；第1电极(30)，设置在半导体衬底(10)内，将第1主面的第1配线层(18)与设置在第2主面的端子(BP‑A)电连接；以及第2电极(50)，设置在第2配线层上。第1电极(30)、第1配线层(18)、第2配线层(19)及第2电极(50)沿着与第1及第2主面垂直的第1方向(D3)配置。第2配线层(19)在与第2电极(50)的连接区域和第2配线层(19)的端部之间具有第1气隙(AG1)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底，具有相互对向的第1及第2主面，且在所述第1主面积层着第1及第2配线层；第1电极，设置在所述半导体衬底内，并将所述第1主面的所述第1配线层与设置在所述第2主面的端子电连接；以及第2电极，设置在所述第2配线层上；所述第1电极、所述第1及第2配线层、以及所述第2电极沿着与所述第1及第2主面垂直的第1方向配置，所述第2配线层在与所述第2电极的连接区域和所述第2配线层的端部之间具有第1气隙。
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