[发明专利]一种Pr掺杂Sn-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Pr掺杂Sn‑Sb纳米相变薄膜材料，其化学组成符合化学通式Pr_x(Sn_ySb_100‑y)_1‑x，其中，0.01x(Sn_ySb_100‑y)_1‑x纳米相变薄膜主要应用于相变存储器，与传统Ge₂Sb₂Te₅、N‑Ge₂Sb₂Te₅及未掺杂Sn_ySb_100‑y相变薄膜相比具有如下优点：首先，Pr_x(Sn_ySb_100‑y)_1‑x纳米相变薄膜材料高的晶化温度、结晶激活能，有利于改善PCM的数据保持力和热稳定性；其次Pr_x(Sn_ySb_100‑y)_1‑x纳米相变薄膜材料高的非晶态和晶态电阻，有助于降低PCM的SET和RESET操作功耗；再次，Pr_x(Sn_ySb_100‑y)_1‑x纳米相变薄膜属于富Sb相变材料，其相变机制为生长占优型，继承着母体相变材料Sn‑Sb快相变速度的优点。

主权项

1.一种Pr掺杂Sn‑Sb纳米相变薄膜材料，其特征在于，其化学组成符合化学通式Pr_x(Sn_ySb_100‑y)_1‑x，其中，0.01<x<0.3,10<y<90。