[发明专利]一种提高半绝缘磷化铟单晶片电阻率均匀性的方法在审
| 申请号： | 201810149630.3 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108486658A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 谢辉;赵有文;董志远;刘京明 | 申请（专利权）人： | 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;李玉琦 |
| 地址： | 100080 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种提高半绝缘磷化铟单晶电阻率均匀性的方法，包括如下步骤：对半绝缘磷化铟单晶进行表面处理；选取与半绝缘磷化铟单晶的尺寸匹配的石英管，进行清洗烘干待用；将半绝缘磷化铟单晶放入该石英管内，并放入一定量的高纯铁粉和红磷；对装有半绝缘磷化铟单晶及高纯铁粉和红磷的石英管进行抽真空，然后封口；将装有半绝缘磷化铟单晶及高纯铁粉和红磷的石英管放入高温炉内，在磷化铁气氛下高温退火。本发明提供的这种提高半绝缘InP单晶片电阻率均匀性的方法，提高了半绝缘InP晶片的质量和电阻的均匀性，半绝缘InP晶片具有更好地电学性质，更有利于光电子器件的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 半绝缘 磷化铟单晶 石英管 电阻率均匀性 高纯铁 放入 红磷 磷化铟单晶片 光电子器件 封口 尺寸匹配 电学性质 高温退火 清洗烘干 抽真空 单晶片 高温炉 均匀性 磷化铁 电阻 绝缘 应用 | ||
【主权项】：
1.一种提高半绝缘磷化铟单晶电阻率均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：对半绝缘磷化铟单晶进行表面处理；步骤S2：选取与半绝缘磷化铟单晶的尺寸匹配的石英管，进行清洗烘干待用；步骤S3：将半绝缘磷化铟单晶放入该石英管内，并放入一定量的高纯铁粉和红磷；步骤S4：对装有半绝缘磷化铟单晶及高纯铁粉和红磷的石英管进行抽真空，然后封口；步骤S5：将装有半绝缘磷化铟单晶及高纯铁粉和红磷的石英管放入高温炉内，在磷化铁气氛下高温退火。
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