[发明专利]一种降低半绝缘磷化铟单晶掺铁浓度的方法有效
| 申请号： | 201810149707.7 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108456928B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 谢辉;赵有文;董志远;刘京明 | 申请（专利权）人： | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;李玉琦 |
| 地址： | 519085 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种降低半绝缘磷化铟单晶掺铁浓度的方法，包括以下步骤：对高铁浓度半绝缘磷化铟单晶进行表面处理；选取与高铁浓度半绝缘磷化铟单晶尺寸匹配的石英管，并清洗待用；将高铁浓度半绝缘磷化铟单晶和高纯铁粉放入所述石英管内；对所述石英管抽真空并封口；将所述石英管放入高温炉内进行铁扩散掺杂。本发明提供的这种Fe高温热扩散的方法，使得进入铁浓度较高的半绝缘InP晶体的Fe以替位方式占据In位，具有极高的激活效率，避免了杂质分布产生的结构缺陷，并抑制了位错与掺入的Fe原子的相互作用，降低了半绝缘InP单晶片中Fe的浓度，解决了半绝缘InP单晶中掺Fe浓度过高的问题，获得了电学性能较好的半绝缘单晶材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 绝缘 磷化 铟单晶掺铁 浓度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低半绝缘磷化铟单晶掺铁浓度的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对高铁浓度半绝缘磷化铟单晶进行表面处理；S2：选取与高铁浓度半绝缘磷化铟单晶尺寸匹配的石英管，并清洗待用；S3：将高铁浓度半绝缘磷化铟单晶和高纯铁粉放入所述石英管内；S4：对所述石英管抽真空并封口；S5：将所述石英管放入高温炉内进行铁扩散掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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