[发明专利]压电传感器制造方法及利用其的压电传感器有效
| 申请号： | 201810149813.5 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108461622B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 房昌爀 | 申请（专利权）人： | (株)凯希思 |
| 主分类号： | H01L41/047 | 分类号： | H01L41/047 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊;姜虎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种压电传感器制造方法，本发明的压电传感器制造方法包括如下步骤：刻蚀半导体基板而形成包含多个凹槽的传感器阵列图案形式的模具；将压电材料注入所述凹槽并烧结；刻蚀半导体基板，以使压电材料突出，由此，形成传感器阵列图案形式的压电杆，并以在图案的一侧面突出第一区域的方式进行刻蚀；将绝缘材料填充至半导体基板而形成绝缘层；对绝缘层进行平坦化处理，直至压电材料露出时为止；在压电材料及绝缘层的第一面形成第一电极；在形成有第一电极的半导体基板上粘结工艺基板；对所述半导体基板的第二面进行平坦化处理，直至压电材料露出时为止；在压电材料的第二面形成第二电极；及刻蚀所述第一区域而露出所述第一电极。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 传感器 制造 方法 利用 | ||
【主权项】：
1.一种压电传感器制造方法，其特征在于，包括如下步骤：刻蚀半导体基板而形成包含多个凹槽的传感器阵列图案形式的模具；将压电材料注入所述凹槽并烧结；刻蚀半导体基板，以使所述压电材料突出，由此，形成传感器阵列图案形式的压电杆，并以在所述图案的一侧面突出第一区域的方式进行刻蚀；将绝缘材料填充至所述半导体基板而形成绝缘层；对绝缘层进行平坦化处理，直至所述压电材料露出时为止；在所述压电材料及绝缘层的第一面形成第一电极；在形成有所述第一电极的半导体基板上粘结工艺基板；对所述半导体基板的第二面进行平坦化处理，直至所述压电材料露出时为止；在所述压电材料的第二面形成第二电极；及刻蚀所述第一区域而露出所述第一电极。
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