[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810150243.1 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108470732B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 妹尾贤 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H03K17/567 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置，抑制感测二极管的恢复电流。半导体装置具有：半导体基板；上部主电极，配置在所述半导体基板的上部；感测阳极电极，配置在所述半导体基板的上部；电阻层，配置在所述半导体基板的上部且具有比所述感测阳极电极高的电阻率；及下部主电极，配置在所述半导体基板的下部。所述半导体基板具有开关元件和感测二极管。所述开关元件连接在所述上部主电极与所述下部主电极之间。所述感测二极管具有经由所述电阻层而与所述感测阳极电极连接的p型的第一阳极区和与所述下部主电极连接的n型的第一阴极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具有：半导体基板；上部主电极，配置在所述半导体基板的上部；感测阳极电极，配置在所述半导体基板的上部；电阻层，配置在所述半导体基板的上部，具有比所述感测阳极电极高的电阻率；及下部主电极，配置在所述半导体基板的下部，所述半导体基板具有开关元件和感测二极管，所述开关元件连接在所述上部主电极与所述下部主电极之间，所述感测二极管具有经由所述电阻层与所述感测阳极电极连接的p型的第一阳极区和与所述下部主电极连接的n型的第一阴极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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