[发明专利]一种具有超结结构的半导体器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种具有超结结构的半导体器件及其制作方法，涉及半导体芯片技术领域，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、PN交替超结区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极金属和器件漏极金属。PN交替超结区由P+层与N+层横向间隔交替排列，N+区的中央区内部横向设置有由超结P型柱组成的超结P型柱阵列组。该技术方案缓解了现有技术存在的导通电阻大、饱和电流低的技术问题，有效保证了半导体器件的耐压性能，提高了半导体器件的饱和电流，减小了器件的导通电阻，充分发挥了超结结构的优势，有效利用器件面积，降低了器件的生产成本，改善半导体器件的导通性能。

主权项

1.一种具有超结结构的半导体器件，其特征在于，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、PN交替超结区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极金属和器件漏极金属；所述N+区为由中央区、底边区和侧边区组成的电子漂移区；所述N型衬底的上方与所述N+区的底边区连接，所述N+区的内表面向中央区延伸为所述P‑体区，所述PN交替超结区位于所述N+区的中央区的两侧、所述N+区与P‑体区之间，所述P‑体区的上表面与所述PN交替超结区相连接处设有所述N+源区，所述栅极氧化层覆盖于所述N+源区、N+区、P‑体区连接处的上表面，所述栅极氧化层上方设有所述多晶硅栅极，所述PN交替超结区与所述N+源区连接处的上表面设置有器件源极金属，所述N+区的侧边区的上表面设有器件漏极金属，所述多晶硅栅极的上表面及其与所述器件源极金属之间、所述器件源极金属与器件漏极金属之间均水平铺设有所述介质隔离层；其中，所述PN交替超结区由P+层与N+层横向间隔交替排列，且所述PN交替超结区的上下表面均为P+层；所述N+区的中央区内部横向设置有由超结P型柱组成的超结P型柱阵列组，所述超结P型柱的截面宽度小于所述N+层的厚度，且任一超结P型柱的上下表面位于同一所述P+层或N+层的上下表面所围成的水平区域范围内。