[发明专利]基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810151209.6 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108365516A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;张中恺;许锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器，其由磷化铟基外延片基材加工而成，所述半导体激光器包括：量子阱有源层，位于所述半导体激光器中间，用于发射激光；N区结构层，位于量子阱有源层之下，用于提供电子以及对载流子和光场的限制；以及P区结构层，位于量子阱有源层之上，用于提供空穴以及对载流子和光场的限制；所述P区结构层包括由M条脊波导构成的耦合脊阵列，M≥2，所述耦合脊阵列使得各个相邻脊波导下方有源区输出光场之间实现相干耦合，同时也加强了脊波导对于有源区中光场的限制作用，避免激光器以多横模模式激射，使输出光束质量更高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 耦合 脊阵列 量子阱有源层 磷化铟基 结构层 光场 载流子 脊波导 源区 空穴 基材加工 输出光场 输出光束 相干耦合 激光器 外延片 相邻脊 波导 横模 制备 激光 发射 | ||
【主权项】：
1.一种基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器，其由磷化铟基外延片基材加工而成，所述半导体激光器包括：量子阱有源层(10)，位于所述半导体激光器中间，用于发射激光；P区结构层(20)，位于量子阱有源层(10)之上，用于提供空穴以及对载流子和光场的限制，所述P区结构层(20)包括由M条脊波导(24)构成的耦合脊阵列(29)，M≥2，所述耦合脊阵列(29)使得各个相邻脊波导(24)下方有源区输出光场之间实现相干耦合；以及N区结构层(30)，位于量子阱有源层(10)之下，用于提供电子以及对载流子和光场的限制。
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