[发明专利]氧化硅的选择性沉积

摘要

本发明涉及氧化硅的选择性沉积。本发明描述了用于相对于氮化硅表面选择性地在氧化硅表面上沉积氧化硅的方法和设备。方法涉及使用氨和/或氮等离子体预处理衬底表面，并且在热原子层沉积反应中使用氨基硅烷硅前体和氧化剂的交替脉冲选择性地在氧化硅表面上沉积氧化硅，而不在暴露的氮化硅表面上沉积氧化硅。

主权项

1.一种选择性地在暴露的氧化硅表面上沉积氧化硅的方法，所述方法包括：提供具有所述暴露的氧化硅表面和暴露的氮化硅表面的衬底，所述暴露的氮化硅表面包含伯胺基团；将所述衬底暴露于氨基硅烷以将氨基硅烷吸附至所述暴露的氧化硅表面；以及执行热原子层沉积反应，所述反应包括将所述衬底暴露于氧化剂，由此所述热原子层沉积反应相对于所述暴露的氮化硅表面选择性地在所述暴露的氧化硅表面上形成氧化硅。