[发明专利]等离子体处理装置和等离子体分布调整方法有效
申请号: | 201810151742.2 | 申请日: | 2014-07-04 |
公开(公告)号: | CN108203816B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 佐佐木和男;齐藤均;山泽阳平;古屋敦城;内藤启 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;谢弘 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够抑制由等离子体导致的金属窗的溅射削落并且能够进行等离子体的强度的分布调整的感应耦合型的等离子体处理装置。该对基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(100)包括:在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线(11);和配置在等离子体生成区域与高频天线(11)之间,与主体容器绝缘的金属窗(3)。金属窗(3)具有利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗(30a~30d),使这些金属窗(30a~30d)各自通过一个接地点接地。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 分布 调整 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其用于对基板进行等离子体处理,所述等离子体处理装置的特征在于,包括:用于在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线;和配置在所述等离子体生成区域与所述高频天线之间,与主体容器绝缘的金属窗,其中,所述金属窗由利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗构成,所述多个金属窗分别通过一个接地点接地。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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