[发明专利]存储器单元、制造方法、半导体装置结构及存储器系统有效
| 申请号： | 201810152006.9 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108198584B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;苏尼尔·穆尔蒂;维托尔德·库拉 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示磁性存储器单元、制造方法、半导体装置结构及存储器系统。磁性单元芯包含：至少一个磁性区域(例如，自由区域或固定区域)，其经配置以展现垂直磁性定向；至少一个基于氧化物的区域，其可为隧道结区域或氧化物顶盖区域；及至少一个磁性界面区域，其可包括铁Fe或由铁Fe组成。在一些实施例中，所述磁性界面区域通过磁性区域而与至少一个基于氧化物的区域隔开。所述磁性界面区域的存在增强所述磁性单元芯的垂直磁性各向异性PMA强度。在一些实施例中，与缺少所述磁性界面区域的相同磁性单元芯结构的PMA强度相比较，所述PMA强度可被增强50％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 制造 方法 半导体 装置 结构 系统 | ||
【主权项】：
1.一种形成存储器单元的方法，所述方法包括：在衬底上方形成氧化物材料；在所述氧化物材料上方形成磁性材料；在所述磁性材料上方形成另一氧化物材料；在所述磁性材料与所述氧化物材料和所述另一氧化物材料中的一者之间形成基于铁的材料；以及将所述氧化物材料、所述磁性材料、所述另一氧化物材料以及所述基于铁的材料图案化以形成磁性单元芯，所述磁性单元芯包括来自所述氧化物材料的隧道结区域、来自所述磁性材料的自由区域及固定区域中的一者、来自所述基于铁的材料的磁性界面区域以及来自所述另一氧化物材料的氧化物顶盖区域，所述磁性材料展现垂直磁性定向。
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