[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置的制造方法以及半导体装置，其在短时间内可靠地筛选出潜在不良，并且抑制半导体装置的制造不良成本。在半导体衬底上完成半导体装置之前的制造工序中，在形成了筛选对象的结构的阶段，对半导体衬底与栅电极膜之间施加电压，以晶片为单位全面地进行栅绝缘膜的潜在缺陷的筛选，从而在半导体装置完成品的电特性试验时作为初始不良产品而显现出来。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在晶片形状的半导体衬底上具有栅绝缘膜和栅电极膜，所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括如下工序：在所述晶片形状的半导体衬底上形成栅绝缘膜；在包含所述栅绝缘膜的所述晶片形状的半导体衬底的正面的整个面上形成栅电极膜；在形成所述栅电极膜的工序之后，在所述晶片形状的半导体衬底的背面与形成于所述晶片形状的半导体衬底的正面的整个面上的所述栅电极膜之间设置电位差，对所述栅绝缘膜施加电场，由此对所述栅绝缘膜进行筛选；对被实施了所述筛选的所述晶片形状的半导体衬底进行判定；以及在进行所述判定的工序之后，对所述栅电极膜进行构图。