[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201810153635.3 | 申请日: | 2018-02-22 |
公开(公告)号: | CN108695276A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 矶亚纪良 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/42;H01L21/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金玉兰;王颖 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供能够抑制导热膏因泵出而枯竭,并抑制功率半导体芯片因热而产生故障的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具备接合有搭载了半导体芯片(1)的层叠基板(2)的底板(3)以及隔着导热膏(16)和金属环(12)安装于底板(3)的散热器(11)。此外,金属环(12)的中间孔设置于与半导体芯片(1)相对的部分,并在所述中间孔的部分(13)填充有导热膏(16)。此外,金属环(12)由硬度与散热器(11)为相同程度的材料或硬度比散热器(11)低的材料形成。 | ||
搜索关键词: | 半导体装置 散热器 导热膏 金属环 底板 半导体芯片 中间孔 功率半导体芯片 材料形成 层叠基板 接合 填充 制造 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:底板,接合有搭载了半导体芯片的层叠基板;以及散热器,隔着导热膏和金属环安装于所述底板。
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