[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810153865.X | 申请日： | 2018-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109755317A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 朱峯庆;李威养;杨丰诚;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供半导体装置。半导体装置包括基板，其具有第一装置区与第二装置区；第一鳍状物，位于第一装置区中的基板上；第二鳍状物，位于第二装置区中的基板上；第一外延结构，位于第一鳍状物的源极/漏极区中的第一鳍状物上；第二外延结构，位于第二鳍状物的源极/漏极区中的第二鳍状物上；以及介电层，位于第一外延结构与第二外延结构上。第一外延结构掺杂有第一导电型态的第一掺质，第二外延结构掺杂有第二导电型态的第二掺质，且第二导电型态与第一导电型态不同。介电层掺杂有第一掺质。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 鳍状物 导电型态 半导体装置 掺质 基板 源极/漏极区 第二装置区 掺杂 第一装置 介电层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一基板，具有一第一装置区与一第二装置区；一第一鳍状物，位于该第一装置区中的该基板上，其中该第一鳍状物包括一沟道区以及一源极/漏极区；一第二鳍状物，位于该第二装置区中的该基板上，其中该第二鳍状物包括一沟道区以及一源极/漏极区；一第一外延结构，位于该源极/漏极区中的该第一鳍状物上，其中该第一外延结构掺杂有第一导电型态的一第一掺质；一第二外延结构，位于该源极/漏极区中的该第二鳍状物上，其中该第二外延结构掺杂有第二导电型态的一第二掺质，且第二导电型态与第一导电型态不同；以及一介电层，位于该第一外延结构与该第二外延结构上，其中该介电层掺杂有该第一掺质。
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