[发明专利]半导体装置封装有效
申请号: | 201810154834.6 | 申请日: | 2018-02-23 |
公开(公告)号: | CN109037188B | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 陈建桦;谢盛祺;孔政渊 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种用于制造半导体装置封装的方法,其包含:提供具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底;在所述衬底的所述第一表面上安置无源组件层;在安置所述无源组件层之后,在所述衬底中形成至少一个通孔,其中所述通孔穿透所述衬底和所述无源组件层;以及在所述无源组件层上安置导电层并且用所述导电层填充所述通孔。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置封装,其包括:衬底,其具有第一侧壁、第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;第一图案化导电层,其在所述衬底的所述第一表面上,且具有第二侧壁、第一表面以及邻近于所述衬底并且与所述第一图案化导电层的所述第一表面相对的第二表面;第一绝缘层,其在所述衬底的所述第一表面上,且具有第三侧壁、第一表面以及邻近于所述衬底并且与所述第一绝缘层的所述第一表面相对的第二表面;以及第二图案化导电层,其从所述第一绝缘层的所述第一表面经过所述第一绝缘层和所述第一图案化导电层延伸到所述衬底的所述第二表面,所述第二图案化导电层覆盖所述第一、第二和第三侧壁。
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