[发明专利]具有多区段厚度控制的化学气相沉积设备及相关联方法在审

专利信息
申请号: 201810155244.5 申请日: 2018-02-23
公开(公告)号: CN109722652A 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 方琮玮;邱义勋;李卓翰;戴遥烽 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: C23C16/54 分类号: C23C16/54;C23C16/44;H01L21/205
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种化学气相沉积设备及相关联方法。化学气相沉积设备具有真空室及气体入口,气体入口具有气体入口轴线,工艺气体沿气体入口轴线被导入到真空室中,且气体入口配置在靠近真空室的上部区。至少一个排出口配置在靠近真空室的底部区。化学气相沉积设备还具有喷淋头,喷淋头配置在气体入口下方,具有贯穿喷淋头的多个孔,多个孔具有至少两种不同的直径或密度。喷淋头将工艺气体重新分布以形成具有不均匀的厚度的前体材料,其与后续化学机械抛光工艺的移除轮廓匹配。如此一来,在进行化学机械抛光工艺之后所形成的层的平面性得到改善。
搜索关键词: 气体入口 化学气相沉积设备 喷淋头 真空室 化学机械抛光工艺 工艺气体 配置 关联 厚度控制 轮廓匹配 前体材料 重新分布 不均匀 底部区 多区段 排出口 平面性 移除 贯穿
【主权项】:
1.一种化学气相沉积设备,其特征在于,包括:真空室;气体入口,具有气体入口轴线,工艺气体沿所述气体入口轴线被导入到所述真空室中,且所述气体入口配置在靠近所述真空室的上部区;至少一个排出口,配置在靠近所述真空室的底部区;晶片吸盘,配置在所述气体入口与所述排出口之间,以固持半导体衬底;以及喷淋头,配置在所述气体入口下方,具有贯穿所述喷淋头的多个孔,所述多个孔具有至少两种不同的直径或密度。
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