[发明专利]具有多区段厚度控制的化学气相沉积设备及相关联方法在审
申请号: | 201810155244.5 | 申请日: | 2018-02-23 |
公开(公告)号: | CN109722652A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 方琮玮;邱义勋;李卓翰;戴遥烽 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/44;H01L21/205 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种化学气相沉积设备及相关联方法。化学气相沉积设备具有真空室及气体入口,气体入口具有气体入口轴线,工艺气体沿气体入口轴线被导入到真空室中,且气体入口配置在靠近真空室的上部区。至少一个排出口配置在靠近真空室的底部区。化学气相沉积设备还具有喷淋头,喷淋头配置在气体入口下方,具有贯穿喷淋头的多个孔,多个孔具有至少两种不同的直径或密度。喷淋头将工艺气体重新分布以形成具有不均匀的厚度的前体材料,其与后续化学机械抛光工艺的移除轮廓匹配。如此一来,在进行化学机械抛光工艺之后所形成的层的平面性得到改善。 | ||
搜索关键词: | 气体入口 化学气相沉积设备 喷淋头 真空室 化学机械抛光工艺 工艺气体 配置 关联 厚度控制 轮廓匹配 前体材料 重新分布 不均匀 底部区 多区段 排出口 平面性 移除 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种化学气相沉积设备,其特征在于,包括:真空室;气体入口,具有气体入口轴线,工艺气体沿所述气体入口轴线被导入到所述真空室中,且所述气体入口配置在靠近所述真空室的上部区;至少一个排出口,配置在靠近所述真空室的底部区;晶片吸盘,配置在所述气体入口与所述排出口之间,以固持半导体衬底;以及喷淋头,配置在所述气体入口下方,具有贯穿所述喷淋头的多个孔,所述多个孔具有至少两种不同的直径或密度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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