[发明专利]半导体表面消除内应力的方法在审
| 申请号： | 201810155531.6 | 申请日： | 2018-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN110189993A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 彭忠华 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体表面消除内应力的方法，包括：将半导体的第一表面粘接在固定板上；在半导体的第二表面覆盖保护膜，所述第二表面与所述第一表面相对；对粘接有所述半导体的所述固定板的背面进行离子刻蚀，其中所述离子刻蚀包括两次不同条件的离子刻蚀工序；以及去除所述第二表面上的所述保护膜。其可将半导体在切割、研磨工艺中产生的变形、内应力消除，从而保证后续工艺的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 第二表面 离子刻蚀 半导体表面 第一表面 保护膜 固定板 粘接 内应力消除 不同条件 后续工艺 研磨 去除 背面 切割 变形 覆盖 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体表面消除内应力的方法，其特征在于，包括以下步骤：将半导体的第一表面粘接在固定板上；在半导体的第二表面覆盖保护膜，所述第二表面与所述第一表面相对；对粘接有所述半导体的所述固定板的背面进行离子刻蚀，其中所述离子刻蚀包括两次不同条件的离子刻蚀工序；以及去除所述第二表面上的所述保护膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
