[发明专利]一种超柔半透明导电薄膜的制备方法

摘要

本发明提供一种超柔半透明复合导电薄膜的制备方法，是一种等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)法在铜箔表面快速生长GNWs，并与乙烯‑乙酸乙烯酯聚合物(EVA)复合的制备方法。主要包括以下工艺步骤：1.清洗铜箔并干燥；2.调控PECVD工艺参数；3.一定温度、射频功率(RF)和气压下在铜箔表面生长GNWs。4.在GNWs/铜箔表面覆盖一层EVA溶液，并在80℃下烘干；5.自然冷却至室温后，撕下GNWs/EVA柔性半透明导电复合薄膜；6.重复使用铜箔生长GNWs。利用该工艺制备的GNWs/EVA柔性、半透明、导电薄膜在智能传感器、柔性触摸屏等领域具有一定的潜在应用。

主权项

1.一种超柔半透明复合导电薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括：/n步骤一.将干净的铜箔置于石英管中，通入载气，由室温加热到反应温度，之后通入碳源气体；/n步骤二.利用PECVD技术，调节总气压和射频电源功率，在铜箔表面生长石墨烯纳米墙GNWs；/n所述的PECVD技术包括：/n1)升温过程：升温阶段的开始温度为室温，升温速率为10-20℃/min，结束温度为650-850℃，氩气和氢气的流量分别为20-40sccm和5-20sccm；/n2)退火阶段的温度为650-850℃，时间为20-40min，氩气和氢气的流量分别为20-40sccm和5-20sccm；/n3)生长阶段的温度为650-850℃，时间为2-15min，氢气、甲烷的流量分别为5-20sccm和10-20sccm；/n4)降温过程为自然冷却至室温，氩气和氢气的流量分别为20-40sccm和5-20sccm；/n步骤三.在石墨烯纳米墙GNWs-铜箔表面旋涂乙烯-乙酸乙烯酯聚合物EVA-乙酸丁酯溶液，70-90℃干燥后，冷却至室温，将GNWs-EVA复合薄膜从铜箔表面撕下，即可得到超柔半透明导电复合薄膜。/n