[发明专利]非挥发性铁电存储器件及其驱动方法在审
| 申请号： | 201810157460.3 | 申请日： | 2018-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN110189777A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 黄哲盛 | 申请（专利权）人： | 首尔大学校产学协办团 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 韩国首尔市冠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及非挥发性铁电存储器件及其驱动方法。本发明一实施例的非挥发性铁电存储器件作为非挥发性存储器件，包括半导体活性层、多个存储单元以及控制电路，多个存储单元在半导体活性层上串联结合，控制电路对多个存储单元中的选择存储单元执行读取工作及编程工作，非挥发性铁电存储器件的特征在于，各个存储单元可具有栅极结构，栅极结构包括：上述半导体活性层上的顺电层；电介质堆栈，具有铁电层及电荷捕获点，铁电层层叠于顺电层上，电荷捕获点通过配置于顺电层与铁电层之间的界面或半导体活性层与顺电层之间的界面来借助所捕获的电荷而产生铁电层的负电容效应；以及上述铁电层上的控制栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 非挥发性铁电存储器 电层 半导体活性层 存储单元 铁电层 电荷捕获 控制电路 栅极结构 电介质 非挥发性存储器件 选择存储单元 读取 驱动 电容效应 控制栅极 电荷 堆栈 生铁 铁电 编程 捕获 串联 配置 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发性铁电存储器件，作为非挥发性存储器件，包括半导体活性层、多个存储单元以及控制电路，上述多个存储单元在上述半导体活性层上串联结合，上述控制电路对上述多个存储单元中的选择存储单元执行读取工作及编程工作，上述非挥发性铁电存储器件的特征在于，各个存储单元具有栅极结构，上述栅极结构包括：上述半导体活性层上的顺电层；电介质堆栈，具有铁电层及电荷捕获点，上述铁电层层叠于上述顺电层上，上述电荷捕获点通过配置于上述顺电层与上述铁电层之间的界面来借助所捕获的电荷而产生上述铁电层的负电容效应；以及上述铁电层上的控制栅极。
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