[发明专利]一种基于ZnSnO纳米纤维的场效应晶体管制备方法有效

专利信息
申请号: 201810158128.9 申请日: 2018-02-25
公开(公告)号: CN108417494B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 单福凯;孟优;王珍;刘国侠 申请(专利权)人: 青岛大学
主分类号: H01L21/34 分类号: H01L21/34;H01L21/445;H01L29/78;H01L29/51;H01L29/06
代理公司: 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 代理人: 李宏伟
地址: 266100 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种基于ZnSnO纳米纤维的场效应晶体管制备方法,首先进行ZrO2前驱体溶液的制备,选用P型低阻硅作为衬底和栅电极进行清洗,制备ZrO2薄膜,制备ZnSnO前驱体溶液,再将聚乙烯吡咯烷酮加入ZnSnO前驱体溶液中,采用静电纺丝法制备ZnSnO纳米纤维,本发明的有益效果是能够实现低成本且工业化生产,其整体工艺简单,原理可靠。
搜索关键词: 一种 基于 znsno 纳米 纤维 场效应 晶体管 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于ZnSnO纳米纤维的场效应晶体管制备方法,其特征在于按照以下步骤进行:(1)ZrO2前驱体溶液的制备:将Zr(NO3)4·5H2O溶于N,N二甲基甲酰胺中,在室温下磁力搅拌形成澄清透明的ZrO2前驱体溶液;(2)清洗衬底:选用P型低阻硅作为衬底和栅电极,依次用丙酮和无水乙醇超声波清洗低阻硅衬底,用去离子水冲洗,再用氮气吹干;(3)ZrO2薄膜的制备:清洗低阻硅衬底表面,在清洗后的低阻硅衬底上采用溶胶凝胶法分别旋涂ZrO2前驱体溶液,将旋涂后的薄膜放到烤胶台上进行烘焙;然后UV光处理后,再将其进行退火,实现脱羟基作用及金属氧化物致密化的过程,得到ZrO2薄膜;(4)ZnSnO前驱体溶液的制备:将SnCl2和ZnCl2混合不同的摩尔比,溶于N,N二甲基甲酰胺中,在常温下磁力搅拌形成澄清透明的ZnSnO前驱体溶液;(5)加入聚乙烯吡咯烷酮:再将聚乙烯吡咯烷酮加入ZnSnO前驱体溶液中,得到混合溶液;(6)静电纺丝法制备ZnSnO纳米纤维:接着将长有ZrO2薄膜的衬底附在收集板上,再将步骤(5)制得的混合溶液加入注射泵内,注射泵内溶液从针头喷出并剧烈抖动且直径迅速下降,最后被收集板接收,制得一维ZnSnO纳米纤维;(7)UV光处理及高温煅烧:将步骤(6)制得的ZnSnO纳米纤维置于烤胶台上烘烤;然后放置在高压汞灯下,在马弗炉中300~700℃温度下处理,得到金属氧化物纳米纤维。
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